本文摘要：美国加州圣何塞，2016年1月7日，全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild今日宣告其650V沟槽型场累计IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司近期一代光伏逆变器中，该公司是家用和商用逆变器的顶级制造商。由于用于了Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF逆变器的功率密度与以前型号比起提升了20%。

美国加州圣何塞，2016年1月7日，全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild今日宣告其650V沟槽型场累计IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司近期一代光伏逆变器中，该公司是家用和商用逆变器的顶级制造商。由于用于了Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF逆变器的功率密度与以前型号比起提升了20%。

　　古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材回应：我们的新一代太阳能逆变器在业界首度使用Fairchild的TO2474LPCBIGBT，通过用于IGBT晶圆和4LPCB工艺新技术，我们需要通过大幅提高驱动信号的电源频率，充分利用IGBT的特性，从而取得卓越的安全性工作区，而且会明显减少半导体的损耗。此外，我们还可以用于更加小的磁性元件，从而明显增大系统尺寸并强化性价比。　　Fairchild高功率工业事业部副总裁赵进说道：古瑞瓦特这样的业界领导者在其超高效率的下一代光伏逆变器中使用我们的650V场累计闸极IGBT，这为我们的IGBT特性和功能竖立了好的榜样，这些IGBT使用Fairchild的创新型场累计技术，为拒绝较低导通和开关损耗的光伏逆变器、UPS、电焊机、通信、ESS和PFC应用于获取最优性能。

　　古瑞瓦特总裁丁永强回应：提升逆变器的效率和功率密度是古瑞瓦特研发人员仍然以来的目标。半导体技术的变革明显增加了我们的逆变器所需的金属部件的比例，这不会造成多种益处，还包括较小的产品尺寸、较重的重量、更加较低的成本，和更加便利的运输和存储。我们不会基于这次顺利之后变革，并之后在我们的光伏逆变器研发中使用先进设备技术，从而为客户获取更加多价值以及较佳的效率和功率密度。

我们使用更高的电源频率研发了新的5K-HF逆变器，这是一个优于的布局，用于新的磁性材料，获取业界领先的效率，功率密度提升了20%以上。Fairchild的650V沟槽型场累计IGBT使用的新IGBT技术和创新型PCB，协助我们构建了这些。

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