本文摘要：一、章节半导体灯光是一种基于大功率高亮度发光二极管（LightEmittingDiode，LED）的新型灯光技术。比起传统灯光光源，白光发光二极管（WLED）具备耗电量较少、闪烁效率高、可靠性低、安全性环保、寿命长等特点。在当今环境污染日益严重，气候逆温暖能源日益紧绷的背景下，半导体灯光技术早已被普遍认为为是21世纪最不具发展前景的高技术领域之一。

一、章节半导体灯光是一种基于大功率高亮度发光二极管（LightEmittingDiode，LED）的新型灯光技术。比起传统灯光光源，白光发光二极管（WLED）具备耗电量较少、闪烁效率高、可靠性低、安全性环保、寿命长等特点。在当今环境污染日益严重，气候逆温暖能源日益紧绷的背景下，半导体灯光技术早已被普遍认为为是21世纪最不具发展前景的高技术领域之一。

在半导体灯光领域，在低显色性（Ra＞90）同时取得低光效，并且取得像自然光一样大自然、舒适度的灯光效果是LED业界仍然执着的目标，也是LED灯光产品能否被消费者普遍接管、LED节约能源工程能否成功推展的关键因素之一。目前现有的GaN基蓝光LED与YAG：Ce3＋黄色荧光粉融合的方式可以取得较高的光效，但由于缺乏红光波段，显色指数难以达到较高水平。减少红色荧光粉可以提升显指，但同时也不会大大降低白光发光二极管光效，并且红色荧光粉在湿气下较不平稳，不易导致色温飘移。

如何构建低光效、低光色品质LED灯光，又可以同时构建低照度效率与显色指数，沦为下一代灯光急需解决的问题之一。量子点是所指在空间三个维度上不存在量子限域效应的半导体纳米晶材料，又被称作“人造原子”。量子点材料的粒径一般介于1－10nm间，当半导体晶体的尺寸大于或相似激子波尔半径时，由于量子限域效应，材料中的倒数能带结构变成并存能级结构，由此带给了闪烁光谱较宽、色纯度低、色域广等优势，且通过薄壳层材料的包覆可以提升量子点的稳定性。

二、研究及结论本项目使用有机化学制备法，利用于是以三辛基膦（TOP）辅助的较慢流经生长方法，改良传统的制取工艺，构建了CdSe／CdS薄壳层核壳量子点复合材料的制备制取。并对所制备的核、核壳量子点及其复合材料的晶格结构、形貌特点与闪烁性质展开了XRD、TEM、SEM、UV－vis、PL密切相关和红光补偿效果测试。

制备的CdSe核直径约5nm，半峰长27nm，具备立方纤锌矿晶格结构，参见图1；CdSe／CdS核壳量子点直径约11nm，半峰长33nm，具备CdS晶格结构的特征峰；制备的CdSe／CdS量子点荧光微球直径约为45－75μm，半峰长30nm，外观呈圆形菱形规则形貌，且颗粒分散性较好，闻图2。将该材料与YAG：Ce3＋黄色荧光粉人组应用于，取得了高光效（148．29lm／W），低显色指数（Ra＝90．1，R9＝97．0）的白光闪烁二级管，取得的CdSe／CdS核壳量子点复合材料在白光发光二极管中深红光波段的补偿效果。

对产业化构建核壳量子点复合材料批量制取及WLED规模生产具备最重要意义。

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